LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)
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文章目录
- LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)
- 4.0 寄存器说明
- 4.1 寄存器名称
- 4.2 控制和状态寄存器
- 4.2.1 基本控制寄存器
- 4.2.2 基本状态寄存器
- 4.2.3 PHY标识符1寄存器
- 4.2.4 PHY标识符2寄存器
- 4.2.5 自动协商广告寄存器
- 4.2.6 自动协商链接合作伙伴能力登记表
- 4.2.7 自动协商扩展寄存器
- 4.2.8 自动协商下一页TX寄存器
- 4.2.9 自动协商下一页接收寄存器
- 4.2.10 MMD访问控制寄存器
- 4.2.11 MMD访问地址/数据寄存器
- 4.2.12 EDPD NLP /分频器
- 4.2.13 模式控制/状态寄存器
- 4.2.14 特殊模式寄存器
- 4.2.15 TDR模式/延迟控制寄存器
- 4.2.16 TDR控制/状态寄存器
- 4.2.17 符号错误计数器寄存器
- 4.2.18 特殊控制/状态指示寄存器
- 4.2.19 电缆长度寄存器
- 4.2.20 中断源标志寄存器
- 4.2.21 中断掩码寄存器
- 4.2.22 PHY特殊控制/状态寄存器
- 4.3 MDIO可管理设备（MMD）寄存器
- 4.3.1 PCS MMD设备当前1个寄存器
- 4.3.2 PCS MMD设备当前2寄存器
- 4.3.3 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）
- 4.3.4 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
- 4.3.5 唤醒滤波器配置寄存器B（WUF_CFGB）
- 4.3.6 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）
- 4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
- 4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
- 4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
- 4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）
- 4.3.11 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器
- 4.3.12 供应商特定的MMD 1装置ID 2寄存器
- 4.3.13 供应商特定的1个MMD设备当前1个寄存器
- 4.3.14 供应商特定的1 MMD设备当前2寄存器
- 4.3.15 供应商特定的MMD 1状态寄存器
- 4.3.16 TDR匹配阈值寄存器
- 4.3.17 TDR短/开门限寄存器
- 4.3.18 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器
- 4.3.19 供应商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器
- 5.0 操作特性
- 5.1 绝对最大额定值*
- 5.2 运行条件**
- 5.3 封装散热规格
- 5.4 能量消耗
- 5.4.1 REF_CLK输入模式
- 5.4.1.1 调节器禁用
- 5.4.1.2 稳压器已启用
- 5.4.2 REF_CLK输出模式
- 5.4.2.1 调节器禁用
- 5.4.2.2 稳压器已启用
- 5.5 直流规格
- 5.6 交流规格
- 5.6.1 等效测试负荷
- 5.6.2 电源序列时序
- 5.6.3 上电nRST和配置分段时序
- 5.6.4 RMII接口时序
- 5.6.4.1 RMII时序（REF_CLK输出模式）
- 5.6.4.2 RMII时序（REF_CLK输入模式）
- 5.6.4.3 RMII CLKIN要求
- 5.6.5 SMI时序
- 5.7 时钟电路
- 5.7.1 300 µW 25 MHZ晶体规格
- 5.7.2 100 µW 25 MHZ晶体规范
- 表5-17： 100 µW晶体规格
- 6.0 包装概述
4.0 寄存器说明
本章介绍各种控制和状态寄存器（CSR）和MDIO可管理设备（MMD）寄存器。
CSR遵循IEEE 802.3（条款22.2.4）管理寄存器集。 MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。所有功能和位定义均符合这些标准。
每个CSR定义都包含IEEE 802.3指定的寄存器索引（十进制），从而允许通过串行管理接口（SMI）协议对这些寄存器进行寻址。可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器CSR间接访问MMD寄存器。
4.1 寄存器名称
表4-1说明了本文档中使用的寄存器位属性符号。
表4-1：寄存器位类型
| 寄存器位类型表示法 | 寄存器位说明 |
|---|---|
| R | Read(读) ：可以读取具有此属性的寄存器或位。 |
| W | Write(写) ：可以写入具有该属性的寄存器或位。 |
| RO | Read only(只读)：写入无效。 |
| WO | Write only(只写)：如果寄存器或位是只写的，则读取将返回未指定的数据。 |
| WC | Write One to Clear(写一个清除)：写一个清除数值。写零无效 |
| WAC | Write Anything to Clear(写任何东西清除)：写任何东西都会清除值。 |
| RC | Read to Clear(读取至清除)：读取后清除内容。写入无效。 |
| LL | Latch Low(锁存器低)：读取寄存器时清零。 |
| LH | Latch High(锁存器高)：读取寄存器后清零。 |
| SC | Self-Clearing(自清除)：设置后，内容将自动清除。零写入无效。内容可以阅读。 |
| SS | Self-Setting(自设置)：清除后内容是自设置的。写一个无效。内容可以阅读。 |
| RO/LH | Read Only, Latch High(只读)，锁存高电平：具有此属性的位将保持高电平，直到读取该位为止。读取后，如果保持高电平状态，则该位将保持高电平；如果已去除高电平状态，则将变为低电平。如果尚未读取该位，则无论高电平状态如何变化，该位都将保持高电平。在某些以太网PHY寄存器中使用此模式。 |
| NASR | Not Affected by Software Reset(不受软件复位的影响)：声明软件复位后，NASR位的状态不会更改。 |
| RESERVED | Reserved Field(保留字段)：保留字段必须写入零以确保将来的兼容性。读取时不能保证保留位的值。 |
这些寄存器位符号中的许多都可以组合。下面是一些示例：
• R / W：可以写入。读取时将返回当前设置。
• R / WAC：将在读取时返回当前设置。写任何东西都可以清除。
4.2 控制和状态寄存器
表4-2列出了支持的寄存器。寄存器的详细信息（包括位定义）在后续小节中提供。
表4-2：SMI寄存器映射
| 寄存器索引（十进制） | 寄存器名称 | 组 |
|---|---|---|
| 0 | 基本控制寄存器 | 基本的 |
| 1 | 基本状态寄存器 | 基本的 |
| 2 | PHY标识符1寄存器 | 扩展的 |
| 3 | PHY标识符2寄存器 | 扩展的 |
| 4 | 自动协商广告注册 | 扩展的 |
| 5 | 自动协商链接合作伙伴能力注册 | 扩展的 |
| 6 | 自动协商扩展寄存器 | 扩展的 |
| 7 | 自动协商下一页TX寄存器 | 扩展的 |
| 8 | 自动协商下一页RX寄存器 | 扩展的 |
| 13 | MMD访问控制寄存器 | 扩展的 |
| 14 | MMD访问地址/数据寄存器 | 扩展的 |
| 16 | EDPD NLP /交叉时间寄存器 | 供应商特定 |
| 17 | 模式控制/状态寄存器 | 供应商特定 |
| 18 | 特殊模式寄存器 | 供应商特定 |
| 24 | TDR模式/延迟控制寄存器 | 供应商特定 |
| 25 | TDR控制/状态寄存器 | 供应商特定 |
| 26 | 符号错误计数器寄存器 | 供应商特定 |
| 27 | 特殊控制/状态指示寄存器 | 供应商特定 |
| 28 | 电缆长度寄存器 | 供应商特定 |
| 29 | 中断源标志寄存器 | 供应商特定 |
| 30 | 中断屏蔽寄存器 | 供应商特定 |
| 31 | PHY特殊控制/状态寄存器 | 供应商特定 |
4.2.1 基本控制寄存器
索引（十进制）：0
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认值 |
|---|---|---|---|
| 15 | 软复位 1 =软件复位。位是自我清除。设置该位时，请勿设置该寄存器中的其他位。 注意：配置（如第3.7.2节“ MODE [2：0]中所述：模式配置”）是通过寄存器的位值而非模式引脚设置的。 | R/W SC | 0b |
| 14 | 回送 0 =正常运行 1 =回送模式 | R/W | 0b |
| 13 | 速度选择 0 = 10 Mbps 1 = 100 Mbps 注意：如果启用了自动协商，则忽略（0.12 = 1）。 | R/W | （请参阅注释1） |
| 12 | 启用自动协商 0 = 禁用自动协商过程 1 = 启用自动协商过程（覆盖0.13和0.8） | R/W | （请参阅注释1） |
| 11 | 掉电 0 = 正常运行 1 = 常规掉电模式 | R/W | 0b |
| 10 | 隔离 0 = 正常运行 1 = PHY与RMII电气隔离 | R/W | 0b |
| 9 | 重新启动自动协商 0 = 正常运行 1 = 重新启动自动协商过程注意：该位是自清除的。 | R/W SC | 0b |
| 8 | 双工模式 0 =半双工 1 =全双工 注意：如果启用了自动协商（0.12 = 1），则将被忽略。 | R/W | |
| 7:0 | 保留的 | RO | - |
Note 1: The default value of this bit is determined by the MODE[2:0] configuration straps. Refer to Section 3.7.2, “MODE[2:0]:Mode Configuration” for additional information.
4.2.2 基本状态寄存器
索引（十进制）：1
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认值 |
|---|---|---|---|
| 15 | 100BASE-T4 0 = 无T4能力 1 = 能够使用T4 | RO | 0b |
| 14 | 100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 =具有全双工的TX | RO | 1b |
| 13 | 100BASE-TX半双工 0 = 无TX半双工能力 1 = TX有半双工 | RO | 1b |
| 12 | 10BASE-T全双工 0 = 无全双工10 Mbps 1 = 全双工10 Mbps | RO | 1b |
| 11 | 10BASE-T半双工 0 = 无半双工10 Mbps 1 = 半双工10 Mbps | RO | 1b |
| 10 | 100BASE-T2全双工 0 = PHY无法执行全双工100BASE-T2 1 = PHY能够执行全双工100BASE-T2 | RO | 0b |
| 9 | 100BASE-T2半双工 0 = PHY无法执行半双工100BASE-T2 1 = PHY能够执行半双工100BASE-T2 | RO | 0b |
| 8 | 扩展状态 0 = 寄存器15中没有扩展状态信息 1 =寄存器15中有扩展状态信息 | RO | 0b |
| 7:6 | 保留的 | RO | - |
| 5 | 自动协商完成 0 =自动协商过程未完成 1 =自动协商过程完成 | RO | 0b |
| 4 | 远程故障 1 =检测到远程故障情况 0 =无远程故障 | RO/LH | 0b |
| 3 | 自动协商能力 0 = 无法执行自动协商功能 1 = 能够执行自动协商功能 | RO | 1b |
| 2 | 连结状态 0 = 链接已断开。 1 = 链接已建立。 | RO/LL | 0b |
| 1 | 贾伯检测 0 =未检测到jabber情况。 1 = 检测到Jabber条件。 | RO/LH | 0b |
| 0 | 扩展功能 0 =不支持扩展功能寄存器 1 = 支持扩展功能寄存器 | RO | 1b |
4.2.3 PHY标识符1寄存器
索引（十进制）：2
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | PHY ID号 分配给组织唯一标识符的第3至第18位 （OUI）。 | 读/写 | 0007h |
4.2.4 PHY标识符2寄存器
索引（十进制）：3
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:10 | PHY ID号 分配给OUI的第19至第24位。 | 读/写 | C130h |
| 9:4 | 型号编号 六位制造商的型号 | 读/写 | |
| 3:0 | 修订号 四位制造商的修订号 | 读/写 |
注意： 版本号字段的默认值可能会根据芯片版本号而有所不同。
4.2.5 自动协商广告寄存器
索引（十进制）：4
大小：16位位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页 | 读/写 | 0b |
| 14 | 已预留 | 只读 | - |
| 13 | 远程故障 0 = 无远程故障 1 = 检测到远程故障 | 读/写 | 0b |
| 12 | 保留的 | 只读 | - |
| 11:10 | 暂停操作 00 = 无暂停 01 =对称暂停 10 =对链接伙伴的非对称暂停 11 =向本地设备通告对对称暂停和非对称暂停的支持 注意 : 如果同时设置了对称暂停和非对称暂停，则设备在自动协商完成后最多只能配置为两个设置之一。 | 读/写 | 00b |
| 9 | 保留的 | 只读 | - |
| 8 | 100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 = 具有全双工的TX | 读/写 | （请参阅注释1） |
| 7 | 100BASE-TX 0 = 没有发送能力 1 = 能够发送 | 读/写 | 1b |
| 6 | 10BASE-T全双工 0 = 无10 Mbps全双工功能 1 = 10 Mbps全双工 | 读/写 | （请参阅注释1） |
| 5 | 10BASE-T 0 = 无10 Mbps的能力 1 = 10 Mbps的能力 | 读/写 | （请参阅注释1） |
| 4:0 | 选择器字段 00001 = IEEE 802.3 | 读/写 | 00001b |
注释1： 该位的默认值由MODE
[2:0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2:0]: 模式配置”以获取更多信息。
4.2.6 自动协商链接合作伙伴能力登记表
索引（十进制）：5
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 下一页 0 = 没有下一页功能 1 =支持下一页 | 只读 | 0b |
| 14 | 确认 0 = 尚未收到链接代码字 1 = 从伙伴接收到链接代码字 | 只读 | 0b |
| 13 | 远程故障 0 =无远程故障 1 = 检测到远程故障 | 只读 | 0b |
| 12 | 已预留 | 只读 | - |
| 11:10 | 暂停操作 00 =伙伴站不支持暂停 01 = 伙伴站支持对称暂停 10 = 伙伴站支持非对称暂停 11 = 伙伴站同时支持对称暂停和非对称暂停 | 只读 | 00b |
| 9 | 100BASE-T4 0 =无T4能力 1 = 能够使用T4 注意： 该设备不支持T4功能。 | 只读 | 0b |
| 8 | 100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 = 具有全双工的TX | 只读 | 0b |
| 7 | 100BASE-TX 0 = 没有发送能力 1 = 能够发送 | 只读 | 0b |
| 6 | 10BASE-T全双工 0 =无10 Mbps全双工功能 1 = 10 Mbps全双工 | 只读 | 0b |
| 5 | 10BASE-T 0 =无10 Mbps能力 1 = 10 Mbps的能力 | 只读 | 0b |
| 4:0 | 选择器字段 00001 = IEEE 802.3 | 只读 | 00001b |
4.2.7 自动协商扩展寄存器
索引（十进制）：6
大小：16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:7 | 保留的 | 只读 | - |
| 6 | 接收下一页位置信息 0 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定 1 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定 | 只读 | 1b |
| 5 | 收到的下一页存储位置 0 =链接伙伴下一页存储在自动协商链接伙伴能力寄存器（PHY寄存器5）中 1 =链接伙伴的下一页存储在自动协商下一页RX寄存器（PHY寄存器8）中 | 只读 | 1b |
| 4 | 并行检测故障 0 =并行检测逻辑未检测到故障 1 =并行检测逻辑检测到故障 | RO/LH | 0b |
| 3 | 链接合作伙伴下一页 0 =链接伙伴没有下一页功能。 1 =链接伙伴具有下一页功能。 | 只读 | 0b |
| 2 | 下一页能够 0 =本地设备没有下一页功能。 1 =本地设备具有下一页功能。 | 只读 | 1b |
| 1 | 收到页面 0 = 尚未收到新页面 1 = 收到新页面 | RO/LH | 0b |
| 0 | 链接伙伴自动协商能力 0 =链接伙伴不具有自动协商功能。 1 =链接伙伴具有自动协商功能。 | 只读 | 0b |
4.2.8 自动协商下一页TX寄存器
索引（十进制）： 7
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页 | R/W | 0b |
| 14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | 留言页面 0 = 未格式化的页面 1 = 消息页面 | R/W | 1b |
| 12 | 致谢2 0 = 设备不符合消息。 1 = 设备将遵循消息。 | R/W | 0b |
| 11 | 切换 0 = 先前值为HIGH。 1 = 上一个值为LOW。 | RO | 0b |
| 10:0 | 讯息码 消息/未格式化的代码字段 | R/W | 000 0000 0001b |
4.2.9 自动协商下一页接收寄存器
索引（十进制）： 8
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页 | RO | 0b |
| 14 | 确认 0 = 尚未从合作伙伴处收到链接代码字 1 = 从伙伴接收到链接代码字 | RO | 0b |
| 13 | 留言页面 0 = 未格式化的页面 1 = 消息页面 | RO | 0b |
| 12 | 致谢2 0 = 设备不符合消息。 1 = 设备将遵循消息。 | RO | 0b |
| 11 | 切换 0 = 先前值为HIGH。 1 =上一个值为LOW。 | RO | 0b |
| 10:0 | 讯息码 消息/未格式化的代码字段 | RO | 000 0000 0000b |
4.2.10 MMD访问控制寄存器
索引（十进制）： 13
大小： 16位
该寄存器与MMD访问地址/数据寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:14 | MMD功能 此字段用于选择所需的MMD功能： 00 = 地址 01 = 数据，无帖子增量 10 = 保留 11 = 保留 | R/W | 00b |
| 13:5 | 保留的 | RO | - |
| 4:0 | MMD设备地址（DEVAD） 该字段用于选择所需的MMD设备地址。 （3 = PCS） | R/W | 0h |
4.2.11 MMD访问地址/数据寄存器
索引（十进制）： 14
大小： 16位
该寄存器与MMD访问控制寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | MMD寄存器地址/数据 如果MMD访问控制寄存器的MMD功能字段为“ 00”，则此 字段用于指示MMD寄存器地址以读取/写入MMD设备地址（DEVAD）字段中指定的设备。否则，该寄存器用于从先前指定的MMD地址读取数据或将数据写入先前指定的MMD地址。 | R/W | 0000h |
4.2.12 EDPD NLP /分频器
索引（十进制）： 16
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | EDPD TX NLP使能 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位允许以EDPD TX NLP间隔计时器选择字段定义的间隔传输单个TX NLP。 0 = 禁用TX NLP 1 =处于EDPD模式时启用TX NLP | R/WNASR | 0b |
| 14:13 | EDPD TX NLP间隔定时器选择 处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN = 1）且 EDPD TX NLPEnable为1，此字段定义用于发送单个TX NLP的间隔。 00 = 1秒（默认） 01 = 768毫秒 10 = 512毫秒 11 = 256毫秒 | R/WNASR | 00b |
| 12 | EDPD RX单个NLP唤醒使能 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位使能在接收单个RX NLP时唤醒PHY。 0 =禁止RX NLP唤醒 1 =处于EDPD模式时使能TX NLP唤醒 | R/WNASR | 0b |
| 11:10 | EDPD RX NLP最大间隔检测选择 处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN= 1）且EDPD RX单个NLP唤醒使能为0，此字段定义检测两个要从EDPD模式唤醒的RX NLP的最大间隔 00 = 64毫秒（默认） 01 = 256毫秒 10 = 512毫秒 11 = 1秒 | R/WNASR | 00b |
| 9:2 | 保留的 | RO | - |
| 1 | EDPD扩展交叉 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1）， 将此位设置为1可将交叉时间延长2976 ms。 0 = 禁用交叉时间扩展 1 = 启用交叉时间扩展（2976 ms） | R/WNASR | 0b |
| 0 | 延长手动10/100 Auto-MDIX交叉时间 启用自动MIDX并且PHY处于手动10BASE-T或 在100BASE-TX模式下，将此位设置为1可将交叉时间延长1984 ms，以允许链接到自动协商链接伙伴PHY。 0 = 禁用交叉时间扩展 1 = 启用交叉时间扩展（1984毫秒） | R/WNASR | 1b |
4.2.13 模式控制/状态寄存器
索引（十进制）： 17
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | EDP关机 启用能量检测掉电（EDPD）模式： 0 = 禁止能量检测掉电。 1 = 使能能量检测掉电。 注意： 在EDPD模式下，可以通过EDPD NLP / Crossover TimeRegister修改设备的NLP特性。 | R/W | 0b |
| 12:10 | 保留的 | RO | - |
| 9 | 远端环回 启用远端环回模式（即，所有接收到的数据包都以模拟方式发送回 （仅在100BASE-TX中）。即使设置了隔离位（0.10），此模式仍然有效。 0 = 禁用远端环回模式。 1 = 使能远端环回模式。 有关更多信息，请参见第3.8.10.2节“ Far Loopback”。 | R/W | 0b |
| 8:7 | 保留的 | RO | - |
| 6 | ALTINT 备用中断模式： 0 = 使能主中断系统（默认） 1 = 使能备用中断系统 有关更多信息，请参见第3.6节“中断管理”。 | R/W | 0b |
| 5:2 | 保留的 | RO | - |
| 1 | 能源 指示是否检测到能量。如果无效，则该位转换为“ 0” 在256毫秒内检测到能量。通过硬件复位将其复位为“ 1”，而不受软件复位的影响。有关更多信息，请参见第3.8.3.2节“能量检测掉电（EDPD）”。 | RO | 1b |
| 0 | 保留的 | R/W | 0b |
4.2.14 特殊模式寄存器
索引（十进制）： 18
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7:5 | 模式 收发器的操作模式。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式 配置”以获取更多详细信息。 | R/WNASR | （请参阅注释1） |
| 4:0 | PHY地址 PHY地址。PHY地址用于SMI地址和初始化- 密码（扰码）键的位置。 请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]： PHY地址配置”以获取更多详细信息。 | R/WNASR | （见注2） |
**注释1：**该字段的默认值由MODE [2：0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式配置”以获取更多信息。
注释2: 该字段的默认值由PHYAD [0]配置带确定。请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]：PHY地址配置”以获取更多信息。
4.2.15 TDR模式/延迟控制寄存器
索引（十进制）： 24
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | TDR延迟输入 0 = 断线时间为2 ms。 1 = 设备在启动TDR之前使用TDR线路中断计数器来增加线路中断时间。 | R/WNASR | 0b |
| 14:12 | TDR断线计数器 当TDR Delay In为1时，此字段指定在 增量为256毫秒，最长2秒。 | R/WNASR | 000b |
| 11:6 | TDR模式高 该字段指定高周期以TDR模式发送的数据模式。 | R/WNASR | 101110b |
| 5:0 | TDR模式低 此字段指定在低周期以TDR模式发送的数据模式。 | R/WNASR | 011101b |
4.2.16 TDR控制/状态寄存器
索引（十进制）： 25
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | TDR启用 0 =禁用TDR模式 1 =启用TDR模式 注意： TDR完成时此位自清除（TDR通道状态变为高电平） | R/WNASR SC | 0b |
| 14 | TDR模数滤波器使能 0 = 禁用TDR模数转换器 1 = 启用TDR模数滤波器（减少TDR脉冲期间的噪声尖峰） | R/WNASR | 0b |
| 13:11 | 保留的 | RO | - |
| 10:9 | TDR通道电缆类型 表示由TDR测试确定的电缆类型。 00 = 默认 01 = 短路的电缆状况 10 = 断开的电缆状况 11 = 匹配的电缆状况 | R/WNASR | 00b |
| 8 | TDR频道状态 高电平时，该位指示TDR操作已完成。这一点 将保持高电平，直到复位或重新启动TDR操作（TDR使能= 1） | R/WNASR | 0b |
| 7:0 | TDR通道长度 此八位值指示短路或断开期间的TDR通道长度 电缆状况。有关此字段的用法的更多信息，请参见第3.8.9.1节“时域反射法（TDR）电缆诊断”。 **注意：**在匹配电缆情况下，此字段无效。电缆长度寄存器必须用于确定非断开/短路（匹配）条件下的电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。 | R/WNASR | 00h |
4.2.17 符号错误计数器寄存器
索引（十进制）： 26
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 符号错误计数器（SYM_ERR_CNT） 当无效时，此基于100BASE-TX接收器的错误计数器将递增 收到的代码符号包括IDLE符号。即使接收的数据包包含多个符号错误，每个数据包计数器也只会递增一次。此字段最多可计数65,536，如果超出最大值，则翻转为0。 注意 ： 该寄存器在复位时被清除，但不能通过读取寄存器来清除。在10BASE-T模式下不会递增。 | RO | 0000h |
4.2.18 特殊控制/状态指示寄存器
索引（十进制）： 27
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | AMDIXCTRL HP Auto-MDIX控件： 0 = 启用自动MDIX 1 = 禁用Auto-MDIX（使用27.13控制通道） | R/WNASR | 0b |
| 14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | CH_SELECT 手动频道选择： 0 = MDI（TX发送，RX接收） 1 = MDIX（TX接收，RX发送） | R/WNASR | 0b |
| 12 | 保留的 | RO | - |
| 11 | SQEOFF 禁用SQE测试（心跳）： 0 = 启用SQE测试 1 = 禁用SQE测试 | R/WNASR | 0b |
| 10:5 | 保留的 | RO | - |
| 4 | XPOL 10BASE-T的极性状态： 0 = 正常极性 1 = 极性相反 | RO | 0b |
| 3:0 | 保留的 | RO | - |
4.2.19 电缆长度寄存器
索引（十进制）： 28
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:12 | 电缆长度（CBLN） 该四位值指示电缆长度。请参阅第3.8.9.2节， “匹配的电缆诊断”提供有关此字段用法的更多信息。 **注意：**此字段指示没有电缆断开/短路的100BASE-TX链接设备的电缆长度。要确定电缆的打开/短路状态，必须使用TDR模式/延迟控制寄存器和TDR控制/状态寄存器。10BASE-T链接不支持电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。 | RO | 0000b |
| 11:0 | 保留的 | RO | - |
4.2.20 中断源标志寄存器
索引（十进制）： 29
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:9 | 保留的 | RO | - |
| 8 | INT8 0 = 没有中断源 1 = 检测到局域网唤醒（WoL）事件 | RO/LH | 0b |
| 7 | INT7 0 = 没有中断源 1 = 产生能量 | RO/LH | 0b |
| 6 | INT6 0 = 没有中断源 1 = 自动协商完成 | RO/LH | 0b |
| 5 | INT5 0 = 没有中断源 1 = 检测到远程故障 | RO/LH | 0b |
| 4 | INT4 0 = 没有中断源 1 = 链接断开（链接状态否定） | RO/LH | 0b |
| 3 | INT3 0 = 没有中断源 1 = 自动协商LP确认 | RO/LH | 0b |
| 2 | INT2 0 = 没有中断源 1 = 并行检测故障 | RO/LH | 0b |
| 1 | INT1 0 =没有中断源 1 = 收到自动协商页面 | RO/LH | 0b |
| 0 | 保留的 | RO | 0b |
4.2.21 中断掩码寄存器
索引（十进制）： 30
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:9 | 保留的 | RO | - |
| 8:1 | 屏蔽位 这些位屏蔽了中断源标志中的相应中断 寄存器。 0 = 屏蔽中断源。 1 = 使能中断源。 | R/W | 00000000b |
| 0 | 保留的 | RO | - |
4.2.22 PHY特殊控制/状态寄存器
索引（十进制）： 31
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:13 | 保留的 | RO | - |
| 12 | 自动完成 自动协商完成指示： 0 = 未完成或禁用自动协商（或未激活）。 1 = 自动协商完成。 | RO | 0b |
| 11:5 | 保留-写为0000010b，读时忽略。 | R/W | 0000010b |
| 4:2 | 速度指示 HCDSPEED值： 001 = 10BASE-T半双工 101 = 10BASE-T全双工 010 = 100BASE-TX半双工 110 = 100BASE-TX全双工 | RO | XXXb |
| 1:0 | 保留的 | RO | - |
4.3 MDIO可管理设备（MMD）寄存器
设备MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。MMD寄存器未映射到内存。这些寄存器可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器间接访问。支持的MMD设备地址为3（PCS）和30（特定于供应商）。表4-3“ MMD寄存器”详细介绍了每个MMD器件内支持的寄存器。
表4-3：MMD寄存器
| MMD设备地址 （十进制） | 指数 （十进制） | 注册名称 |
|---|---|---|
| 3（PCS） | 5 | PCS MMD设备存在1个寄存器 |
| 6 | PCS MMD设备存在2个寄存器 | |
| 32784 | 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR） | |
| 32785 | 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA） | |
| 32786 | 唤醒过滤器配置寄存器B（WUF_CFGB） | |
| 32801 | 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK） | |
| 32802 | ||
| 32803 | ||
| 32804 | ||
| 32805 | ||
| 32806 | ||
| 32807 | ||
| 32808 | ||
| 32865 | MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA） | |
| 32866 | MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB） | |
| 32867 | MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC） | |
| 32868 | 杂项配置寄存器（MCFGR） | |
| 30 （特定于供应商） | 2 | 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器 |
| 3 | 供应商特定的MMD 1设备ID 2寄存器 | |
| 5 | 供应商特定的1 MMD设备存在1注册 | |
| 6 | 供应商特定的1 MMD设备存在2注册 | |
| 8 | 供应商特定的MMD 1状态寄存器 | |
| 11 | TDR匹配阈值寄存器 | |
| 12 | TDR短/开门限寄存器 | |
| 14 | 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器 | |
| 15 | 供应商特定的MMD 1软件包ID 2寄存器 |
要读取或写入MMD寄存器，必须遵循以下步骤：
- 将MMD功能字段的00b（地址）写入MMD访问控制寄存器，并将MMD设备地址（DEVAD）的字段写入所需的MMD设备（对于PCS为3）。
- 用所需MMD寄存器的16位地址写入MMD访问地址/数据寄存器，以便在先前选择的MMD设备（PCS或自动协商）中进行读取/写入。
- 在MMD功能字段的01b（数据）中写入MMD访问控制寄存器，并在MMD设备地址（DEVAD）字段中选择先前选择的MMD设备（对于PCS为3）。
- 如果读取，则读取包含所选MMD寄存器内容的MMD访问地址/数据寄存器。如果进行写操作，则将用于先前选择的MMD寄存器的寄存器内容写入MMD访问地址/数据寄存器。
4.3.1 PCS MMD设备当前1个寄存器
索引（十进制）： 3.5
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7 | 自动协商存在 0 = 包中不存在自动协商 1 = 包中包含自动协商 | RO | 1b |
| 6 | TC存在 0 = 包装中不存在TC 1 = 包装中的TC | RO | 0b |
| 5 | DTE XS存在 0 =软件包中不包含DTE XS 1 = 封装中包含DTE XS | RO | 0b |
| 4 | PHY XS存在 0 =封装中不包含PHY XS 1 = 封装中包含PHY XS | RO | 0b |
| 3 | PCS存在 0 = PCS不存在于包装中 1 = 包装中包含PCS | RO | 1b |
| 2 | WIS存在 0 = WIS不在包装中 1 = 包装中存在WIS | RO | 0b |
| 1 | PMD / PMA当前 0 = PMD / PMA不存在于包装中 1 = 包装中存在PMD / PMA | RO | 0b |
| 0 | 条款22注册 0 = 软件包中不存在第22条寄存器 1 = 包装中包含第22条寄存器 | RO | 0b |
4.3.2 PCS MMD设备当前2寄存器
索引（十进制）： 3.6
大小:16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 供应商特定设备2存在 0 = 封装中没有供应商特定的设备2 1 = 包装中包含供应商特定的设备2 | RO | 0b |
| 14 | 供应商特定设备1存在 0 = 封装中没有供应商专用设备1 1 = 包装中包含供应商特定的设备1 | RO | 1b |
| 13 | 第22条扩展存在 0 = 包装中不存在第22条扩展 1 = 包装中存在第22条扩展 | RO | 0b |
| 12:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.3 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）
索引（十进制）： 3.32784
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 接口禁用 0 =使能RMII接口 1 =禁用RMII接口。输出驱动为低电平，输入被忽略。 | R/WNASR | 0b |
| 14:13 | LED1功能选择 00 = LED1用作链接/活动。 01 = LED1用作nINT。 10 = LED1用作nPME。 11 = LED1用作链接速度。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。 | R/WNASR | 0b |
| 12:11 | LED2功能选择 00 = LED2用作链接速度。 01 = LED2用作nINT。 10 = LED2用作nPME。 11 = LED2用作链接/活动。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。 | R/WNASR | 0b |
| 10 | 保留的 | RO | - |
| 9 | nPME自清除 0 = nPME引脚未自清除。 1 = nPME引脚自清除。 注意： 置位时，nPME信号的解除置位延迟由其他配置寄存器（MCFGR）的nPME置位延迟位控制。有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。 | R/WNASR | 0b |
| 8 | WoL已配置 配置WoL寄存器后，可以通过软件将该位置1。这个 粘滞位（以及所有其他与WoL相关的寄存器位）仅通过重新上电或引脚复位来复位，从而允许软件响应于WoL事件而跳过对WoL寄存器的编程。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。 | R/W/ NASR | 0b |
| 7 | 收到完美的DA帧（PFDA_FR） MAC在收到带有目标地址的有效帧后将其设置为该位 与物理地址匹配。 | R / WC / NASR | 0b |
| 6 | 接收远程唤醒帧（WUFR） MAC在收到有效的远程唤醒帧后会设置该位。 | R / WC / NASR | 0b |
| 5 | 收到魔术包（MPR） MAC在收到有效的魔术包后将该位置1。 | R / WC / NASR | 0b |
| 4 | 收到广播帧（BCAST_FR） MAC在收到有效的广播帧后将该位置1。 | R / WC / NASR | 0b |
| 3 | 完善的DA唤醒启用（PFDA_EN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 接收到目标地址与设备的物理地址匹配的帧。物理地址存储在MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA），MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）和MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）中。 | R/W/ NASR | 0b |
| 2 | 唤醒帧启用（WUEN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC具有以下功能： 按照唤醒过滤器中的程序设置唤醒帧。 | R/W/ NASR | 0b |
| 1 | 魔术包启用（MPEN） 置位时，启用魔术包唤醒模式。 | R/W/ NASR | 0b |
| 0 | 广播唤醒启用（BCST_EN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 从广播帧开始。 | R/W/ NASR | 0b |
4.3.4 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
索引（十进制）： 3.32785
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 筛选器启用 0 = 禁用过滤器 1 = 启用过滤器 | R/W/ NASR | 0b |
| 14 | 过滤触发 0 = 未触发过滤器 1 = 触发过滤器 | R / WC / NASR | 0b |
| 13:11 | 保留的 | RO | - |
| 10 | 地址匹配启用 设置后，目标地址必须与编程的地址匹配。 清除后，将接受任何单播数据包。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。 | R/W/ NASR | 0b |
| 9 | 过滤任何多播启用 设置后，除广播以外的任何多播数据包都会导致地址 比赛。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。 注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。 | R/W/ NASR | 0b |
| 8 | 过滤广播启用 设置后，任何广播帧都将导致地址匹配。请参阅部分 3.8.4.4，“唤醒帧检测”以获取更多信息。 注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。 | R/W/ NASR | 0b |
| 7:0 | 滤镜图案偏移 指定在其上进行CRC检查的帧中第一个字节的偏移量 开始进行唤醒帧识别。偏移量0是传入帧的目标地址的第一个字节。 | R/W/ NASR | 00h |
4.3.5 唤醒滤波器配置寄存器B（WUF_CFGB）
索引（十进制）： 3.32786
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 过滤器CRC-16 该字段为过滤器指定了预期的16位CRC值 通过使用模式偏移和为滤波器编程的字节掩码获得。将该值与在传入帧上计算的CRC进行比较，并且匹配项表示接收到唤醒帧。 | R/W/ NASR | 0000h |
4.3.6 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）
索引（十进制）： 3.32801
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[127：112] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32802
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[111：96] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32803
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[95:80] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32804
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[79:64] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32805
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[63:48] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32806
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[47:32] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32807
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[31:16] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十进制）： 3.32808
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 唤醒过滤器字节掩码[15：0] | R/W/ NASR | 0000h |
4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
索引（十进制）： 3.32865
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 物理地址[47:32] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
索引（十进制）： 3.32866
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 物理地址[31:16] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
索引（十进制）： 3.32867
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 物理地址[15:0] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）
索引（十进制）： 3.32868
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | nPME声明延迟 当nPME时，该寄存器控制nPME断言时间的延迟。 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）的自清除位被设置。每个计数等效于20 µs的延迟。最大延迟为1.31秒。时间=（寄存器值+ 1）x 20 µs。 | R/W/ NASR | 1000h |
4.3.11 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器
索引（十进制）： 30.2
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.12 供应商特定的MMD 1装置ID 2寄存器
索引（十进制）： 30.3
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.13 供应商特定的1个MMD设备当前1个寄存器
索引（十进制）： 30.5
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7 | 自动协商存在 0 = 包中不存在自动协商 1 = 包中包含自动协商 | RO | 1b |
| 6 | TC存在 0 = 包装中不存在TC 1 = 包装中的TC | RO | 0b |
| 5 | DTE XS存在 0 = 软件包中不包含DTE XS 1 = 封装中包含DTE XS | RO | 0b |
| 4 | PHY XS存在 0 =封装中不包含PHY XS 1 = 封装中包含PHY XS | RO | 0b |
| 3 | PCS存在 0 = PCS不存在于包装中 1 = 包装中包含PCS | RO | 1b |
| 2 | WIS存在 0 = WIS不在包装中 1 = 包装中存在WIS | RO | 0b |
| 1 | PMD / PMA当前 0 = PMD / PMA不存在于包装中 1 = 包装中存在PMD / PMA | RO | 0b |
| 0 | 条款22注册 0 = 软件包中不存在第22条寄存器 1 = 包装中包含第22条寄存器 | RO | 0b |
4.3.14 供应商特定的1 MMD设备当前2寄存器
索引（十进制）： 30.6
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15 | 供应商特定设备2存在 0 = 封装中没有供应商特定的设备2 1 = 包装中包含供应商特定的设备2 | RO | 0b |
| 14 | 供应商特定设备1存在 0 = 封装中没有供应商专用设备1 1 = 包装中包含供应商特定的设备1 | RO | 1b |
| 13 | 第22条扩展存在 0 = 包装中不存在第22条扩展 1 = 包装中存在第22条扩展 | RO | 0b |
| 12:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.15 供应商特定的MMD 1状态寄存器
索引（十进制）： 30.8
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:14 | 设备存在 00 =该地址没有设备响应 01 =没有设备在该地址响应 10 =设备在该地址响应 11 =没有设备在该地址响应 | 10b | |
| 13:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.16 TDR匹配阈值寄存器
索引（十进制）： 30.11
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:10 | 保留的 | RO | - |
| 9:5 | TDR匹配高阈值 设置阈值以检测匹配电缆。 | R/W | 5’h12 （请参阅注释1） |
| 4:0 | TDR匹配下限阈值 设置下限阈值以检测匹配电缆。 | R/W | 2009年5月5日 （请参阅注释1） |
注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。
4.3.17 TDR短/开门限寄存器
索引（十进制）： 30.12
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:10 | 保留的 | RO | - |
| 9:5 | TDR短低阈值 设置下限阈值以检测电缆短路。 | R/W | 2009年5月5日 （请参阅注释1） |
| 4:0 | TDR开放上限 设置检测电缆断线的上限阈值。 | R/W | 5’h12 （请参阅注释1） |
注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。
4.3.18 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器
索引（十进制）： 30.14
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.19 供应商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器
索引（十进制）： 30.15
大小： 16位
| 位 | 描述 | 类型 | 默认 |
|---|---|---|---|
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
5.0 操作特性
5.1 绝对最大额定值*
电源电压（VDDIO，VDD1A，VDD2A）（参见注释1）
-0.5V- to +3.6V
数字内核电源电压（VDDCR）（参见注释1）
-0.5V- to +1.5V
以太网磁性电源电压
-0.5V- to +3.6V
输入信号引脚上相对于地的正电压（请参见注释2）
VDDIO + 2.0 V
输入信号引脚上的负电压（相对于地）（请参见注释3）
-0.5V
XTAL1 / CLKIN上的正电压，相对于地
3.6V
储存温度…- 55oC至+ 150oC
引线温度范围…请参阅JEDEC规范。J-STD-020
HBM ESD性能JEDEC 3A级
**注释1：**使用实验室或系统电源为设备供电时，重要的是不要超过绝对最大额定值，否则可能导致设备故障。交流电源打开或关闭时，某些电源在其输出上会出现电压尖峰。此外，交流电源线上的电压瞬变可能会出现在直流输出上。如果存在这种可能性，建议使用钳位电路。
注释2: 此额定值不适用于以下引脚：XTAL1 / CLKIN，XTAL2，RBIAS。
注释3: 此额定值不适用于以下引脚：RBIAS。
*超过本节所列的应力可能会导致设备永久损坏。这仅是压力等级。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。不暗示在超过第5.2节“工作条件**”或本规范任何其他适用部分指出的条件下，设备的功能运行。请注意，除非另有说*明，*否则设备信号不能承受5.0V的电压。
5.2 运行条件**
电源电压（VDDIO）+1.62 V至+3.6 V
模拟端口电源电压（VDD1A，VDD2A）+3.0 V至+3.6 V
数字内核电源电压（VDDCR）+1.14 V至+1.26 V
以太网磁性电源电压+2.25 V至+3.6 V
静止空气（TA）中的环境工作温度（请参见注释1）
注1 ：商业版本为0°C至+ 70°C，工业版本为-40°C至+ 85°C。
注意： 在设备未通电的情况下，请勿驱动输入信号。
5.3 封装散热规格
表5-1：包装热参数
| 参数 | 符号 | 值 | 单元 | 评论 |
|---|---|---|---|---|
| 热阻 | ΘJA | 55.3 | 摄氏度/瓦 | 从模头到周围空气的静止空气中测量 |
| 封装顶部到结点 | ΨJT | 0.9 | 摄氏度/瓦 | 在静止空气中测量 |
注意： 根据JESD51，为多层2S2P PCB中的设备测量或估算热参数。
5.4 能量消耗
本节详细介绍了在各种工作条件下进行的设备功率测量。除非另有说明，否则所有测量均使用标称值（VDDIO，VDD1A，VDD2A = 3.3 V，VDDCR = 1.2 V）的电源进行。有关省电模式的说明，请参见第3.8.3节“省电模式”。
5.4.1 REF_CLK输入模式
5.4.1.1 调节器禁用
表5-2： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已禁用）
| 电源引脚组 | 3.3 V器件电流（mA） | 1.2 V器件电流（mA） | 3.3 V器件电流 | 装置总功率（mW） | |
|---|---|---|---|---|---|
| 复位 | 典型 | 9.8 | 11 | 9.8 | 50 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 27 | 20 | 70 | 124 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 10 | 13 | 114 | 54 |
| 能源检测掉电 | 典型 | 4.6 | 2.1 | 4.6 | 19 |
| 一般掉电 | 典型 | 0.8 | 1.9 | 0.7 | 5.3 |
5.4.1.2 稳压器已启用
表5-3： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已启用）
| 电源引脚组 | 设备电流（mA） | 带有磁性的设备电流（mA） | 装置总功率（mW） | |
|---|---|---|---|---|
| 复位 | 典型 | 21 | 21 | 71 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 50 | 92 | 163 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 24 | 129 | 81 |
| 能源检测掉电 | 典型 | 6.8 | 6.9 | 23 |
| 一般掉电 | 典型 | 3.5 | 3.5 | 12 |
5.4.2 REF_CLK输出模式
5.4.2.1 调节器禁用
表5-4： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已禁用）
| 电源引脚组 | 3.3 V器件电流（mA） | 1.2 V器件电流（mA） | 3.3 V器件电流（mA） | 装置总功率（mW） | |
|---|---|---|---|---|---|
| 复位 | 典型 | 20 | 11 | 20 | 86 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 37 | 20 | 79 | 160 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 20 | 13 | 124 | 88 |
| 能源检测掉电 | 典型 | 4.5 | 1.7 | 4.4 | 18 |
| 一般掉电 | 典型 | 1.0 | 1.3 | 0.9 | 6.4 |
5.4.2.2 稳压器已启用
表5-5： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已启用）
| 电源引脚组 | 设备电流（mA） | 带有磁性的设备电流（mA） | 装置总功率（mW） | |
|---|---|---|---|---|
| 复位 | 典型 | 31 | 31 | 103 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 59 | 102 | 195 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 34 | 139 | 112 |
| 能源检测掉电 | 典型 | 6.5 | 6.4 | 21 |
| 一般掉电 | 典型 | 3.2 | 3.2 | 11 |
5.5 直流规格
表5-6详细说明了非可变I / O缓冲区的特征。这些缓冲器类型不支持可变电压操作。表5-7详细列出了可变电压I / O缓冲器的特性。提供了针对1.8 V，2.5 V和3.3 V VDDIO情况的典型值。
表5-6：不变的I / O缓冲区特征
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS类型输入缓冲器 | ||||||
| 低输入电平 | VILI | -0.3 | V | |||
| 高输入电平 | VIHI | 3.6 | V | |||
| 负向阈值 | VILT | 1.01 | 1.19 | 1.39 | V | 施密特触发器 |
| 正向阈值 | VIHT | 1.39 | 1.59 | 1.79 | V | 施密特触发器 |
| 施密特触发器磁滞（VIHT-VILT） | VHYS | 336 | 399 | 459 | mV | |
| 输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） | IIH | -10 | 10 | uA | （请参阅注释1） | |
| 输入电容 | CIN | 2 | pF | |||
| O12型缓冲器 | ||||||
| 低输出电平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 12 mA | ||
| 高输出电平 | VOH | VDD2A-0.4 | V | IOH = -12 mA | ||
| ICLK类型缓冲器（XTAL1输入） | （见注释2） | |||||
| 低输入电平 | VILI | -0.3 | 0.35 | V | ||
| 高输入电平 | VIHI | VDDCR-0.35 | 3.6 | V |
注1 ：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50µA。
注2 ：XTAL1 / CLKIN可以选择由25 MHz单端时钟振荡器驱动。
表5-7： 可变的I / O缓冲区特征
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型值1.8 V | 2.5 V（典型值） | 3.3 V（典型值） | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VIS类型输入缓冲器 | ||||||||
| 低输入电平 | VILI | -0.3 | V | |||||
| 高输入电平 | VIHI | 3.6 | V | |||||
| 负阈值 | VILT | 0.64 | 0.83 | 1.15 | 1.41 | 1.76 | V | 施密特触发器 |
| 正向阈值 | VIHT | 0.81 | 0.99 | 1.29 | 1.65 | 1.90 | V | 施密特触发器 |
| 施密特触发器滞后（VIHT-VILT） | VHYS | 102 | 158 | 136 | 138 | 288 | 毫伏 | |
| 输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） | IIH | -10 | 10 | 微安 | （请参阅注释1） | |||
| 输入电容 | CIN | 2 | F | |||||
| VO8型缓冲器 | ||||||||
| 低输出电平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 8 mA | ||||
| 高输出水平 | VOH | VDDIO-0.4 | V | IOH = -8 mA | ||||
| VO8型缓冲器 | ||||||||
| 低输出水平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 8 mA |
注释1：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50 µA。
表5-8： 100BASE-TX收发器特性
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 峰值差分输出电压高 | VPPH | 950 | - | 1050 | mVpk | （请参阅注释1） |
| 峰值差分输出电压低 | VPPL | -950 | - | -1050 | mVpk | （请参阅注释1） |
| 信号幅度对称 | VSS | 98 | - | 102 | % | （请参阅注释1） |
| 信号上升和下降时间 | TRF | 3.0 | - | 5.0 | ns | （请参阅注释1） |
| 上升和下降对称 | TRFS | - | - | 0.5 | ns | （请参阅注释1） |
| 占空比失真 | DCD | 35 | 50 | 65 | % | （见注释2） |
| 过冲和下冲 | VOS | - | - | 5 | % | |
| 抖动 | 1.4 | ns | （见注释3） |
注释1 ：在变压器的线路侧测量，线路被100Ω（±1％）电阻代替。
注释2 ：在脉冲峰值的50％时从16 ns脉冲宽度偏移。
注释3 ： 差分测量。
表5-9： 10BASE-T收发器特性
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 变送器峰值差分输出电压 | VOUT | 2.2 | 2.5 | 2.8 | V | （请参阅注释1） |
| 接收器差分静噪阈值 | VDS | 300 | 420 | 585 | mV |
注1 ：保证的最小/最大电压是在100Ω电阻负载下测得的。
5.6 交流规格
本节详细介绍了设备的各种交流时序规范。
5.6.1 等效测试负荷
除非另有说明，否则输出时序规范假定等效测试负载为25 pF，如下图5-1所示。
5.6.2 电源序列时序
该图说明了设备电源排序的要求。VDDIO，VDD1A，VDD2A和电磁电源可以以任何顺序打开，只要它们都在指定的时间段tpon内达到工作电平即可。只要设备电源在指定时间段tpoff内全部达到0伏，就可以以任何顺序关闭电源。
VDD1A / VDD2A电源在VDDCR和VDDIO电源处于零伏的状态下保持不超过750 ms的时间是可以接受的。在这种情况下，必须在VDDCR和/或VDDIO处于关闭状态时断言nRESET，并且必须在VDDCR和VDDIO电源达到工作电平后至少50 ms保持置位状态。另外，VDDIO必须在VDDCR电源之后或之后提供。配置带必须满足第5.6.3节“开机nRST和配置带时序”中指定的要求。
表5-10： 功率序列时序值
| 符号 | 描述 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| pon | 电源开启时间 | 50 | ms | ||
| tpoff | 电源关闭时间 | 500 | ms |
**注意：**禁用内部稳压器时，VDDCR和3.3V电源之间存在上电排序关系。有关更多信息，请参见第3.7.3节“ REGOFF： 内部+1.2 V稳压器配置”。
5.6.3 上电nRST和配置分段时序
该图说明了与上电有关的nRST复位和配置带时序要求。上电后需要进行硬件复位（nRST断言）。为了正确运行，必须断言nRST不小于trstia。可以随时将nRST引脚置为有效，但是在所有外部电源都达到工作电平后，才可以在置位之前将nRST引脚置为无效。为了在上电时读取有效的配置带值，必须遵循tcss和tcsh时序约束。有关更多信息，请参见第3.8.6节“重置”。
图5-3： 上电nRST和配置分段时序
表5-11：上电nRST和配置表带时序值
| 符号 | 描述 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| tpurstd | 外部电源在操作级别上达到nRST断言 | 25 | ms | ||
| tpurstv | 处于操作级别且nRST有效的外部电源 | 0 | ns | ||
| trstia | nRST输入断言时间 | 100 | us | ||
| tcss | 配置表带引脚设置为nRST无效 | 200 | ns | ||
| tcsh | nRST置低后，配置带状引脚保持固定 | 1 | ns | ||
| totaa | nRST断言后输出三态 | 50 | ns | ||
| todad | nRST置低后的输出驱动器 | 2 | 800 （请参阅注释1） | ns |
注意：nRST断言必须是单调的。
注意 ：由于nRST断言，设备配置带被锁存。有关详细信息，请参见第3.7节“配置带”。配置带只能拉高或拉低，并且不能作为输入驱动。
注1 ：25 MHz时20个时钟周期，或50 MHz时40个时钟周期
5.6.4 RMII接口时序
5.6.4.1 RMII时序（REF_CLK输出模式）
50 MHz REF_CLK OUT时序适用于将nINTSEL拉低的情况。在这种模式下，必须在XTAL1/CLKIN和XTAL2引脚上输入25MHz的晶体或时钟振荡器。有关REF_CLK输出模式的更多信息，请参见第3.7.4.2节“REF_CLK输出模式”。
**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD[1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。
图5-4： RMII时序（REF_CLK OUT MODE）
表5-12： RMII时序值（REF_CLK输出模式）
| 符号 | 描述 | 最小 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|
| tclkp | REFCLKO周期 | 20 | ns | ||
| tclkh | REFCLKO高电平时间 | tclkp * 0.4 | tclkp * 0.6 | ns | |
| tclkl | REFCLKO低电平时间 | tclkp * 0.4 | tclkp * 0.6 | ns | |
| toval | 从REFCLKO的上升沿开始的RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出有效 | 7.0 | ns | （请参阅注释1） | |
| toinvld | 从REFCLKO的上升沿开始，RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出无效 | 3.0 | ns | （请参阅注释1） | |
| tsu | TXD [1：0]，TXEN建立时间到REFCLKO的上升沿 | 7.5 | ns | （请参阅注释1） | |
| tihold | TXD [1：0]，REFCLKO的上升沿之后的TXEN输入保持时间 | 2.0 | ns | （请参阅注释1） |
注1 ：定时设计用于10 pf至25 pf的系统负载。
5.6.4.2 RMII时序（REF_CLK输入模式）
50 MHz REF_CLK IN时序适用于nINTSEL悬空或拉高的情况。在此模式下，必须在CLKIN引脚上输入50 MHz时钟。有关REF_CLK模式的更多信息，请参见第3.7.4节“ nINTSEL：nINT / REFCLKO配置”。
**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD [1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。
图5-5： RMII时序（REF_CLK IN MODE）
表5-13： RMII时序值（REF_CLK IN MODE）
| 符号 | 描述 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tclkp | 克金期 | 20 | ns | |||
| tclkh | CLKIN高时间 | tclkp * 0.35 | tclkp * 0.65 | ns | ||
| tclkl | CLKIN低时间 | tclkp * 0.35 | tclkp * 0.65 | ns | ||
| toval | RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿开始有效 | 15.0 | ns | （请参阅注释1） | ||
| toinvld | RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿起无效 | 3.0 | ns | （请参阅注释1） | ||
| tsu | TXD [1：0]，TXEN建立时间到CLKIN的上升沿 | 4.0 | ns | （请参阅注释1） | ||
| tihold | TXD [1：0]，CLKIN上升沿之后的TXEN输入保持时间 | 1.5 | ns | （请参阅注释1） |
注1 ：时序设计用于10 pF至25 pF的系统负载。
5.6.4.3 RMII CLKIN要求
表5-14： RMII CLKIN（REF_CLK）时序值
| 参数 | 最小 | 典型值 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|
| CLKIN 频率 | 50 | MHz | |||
| CLKIN 频率漂移 | ±50 | ppm | |||
| CLKIN 占空比 | 40 | 60 | % | ||
| CLKIN 抖动 | 150 | ps | p-p –不是RMS |
5.6.5 SMI时序
本节指定设备的SMI时序。有关更多详细信息，请参见第3.5节“串行管理接口（SMI）”。
图5-6： SMI 时序
表5-15： SMI时序值
| 符号 | 描述 | 最小 | 最高 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| tclkp | MDC期间 | 400 | ns | |
| tclkh | MDC高时间 | 160 (80%) | ns | |
| t~clkl ~ | MDC低时间 | 160 (80%) | ns | |
| tval | 从MDC的上升沿有效的MDIO（从PHY读取）输出 | 300 | ns | |
| toinvld | MDIO的上升沿导致MDIO（从PHY读取）输出无效 | 0 | ns | |
| tsu | 到MDC上升沿的MDIO（写入PHY）建立时间 | 10 | ns | |
| tihold | MDC上升沿之后的MDIO（写入PHY）输入保持时间 | 10 | ns |
5.7 时钟电路
该器件可以接受25 MHz晶体或25 MHz单端时钟振荡器（±50ppm）输入。如果采用单端时钟振荡器方法，则应使XTAL2保持未连接状态，并用标称0-3.3 V时钟信号驱动XTAL1 / CLKIN。输入时钟占空比为最小40％，典型50％和最大60％。
建议将使用匹配并联负载电容器的晶体用于晶体输入/输出信号（XTAL1 / XTAL2）。可以使用300 µW或100 µW的25 MHz晶体。第5.7.1节“ 300 µW 25 MHz晶体规范”中详细介绍了300 µW 25 MHz晶体规范。第5.7.2节“ 100 µW 25 MHz晶体规范”中详细介绍了100 µW 25 MHz晶体规范。
5.7.1 300 µW 25 MHZ晶体规格
当使用300 µW 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-7）和规格（表5-16），以确保正常工作。
图5-7： 300 µW 25 MHZ晶体电路
表5-16：300 µW晶体规格
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶振切工 | AT，典型 | |||||
| 晶体振荡模式 | 基本模式 | |||||
| 晶体校准模式 | 并联共振模式 | |||||
| 频率 | Ffund | - | 25.000 | - | MHz | |
| 25 ℃时的频率容限 | Ftol | - | - | ±50 | ppm | （请参阅注释1） |
| 频率温度稳定性 | Ftemp | - | - | ±50 | ppm | （请参阅注释1） |
| 随时间变化的频率 | Fage | - | ±3至5 | - | ppm | （见注2） |
| 允许的PPM总预算 | - | - | ±50 | ppm | （见注3） | |
| 分流电容 | CO | - | 7 typ | - | pF | |
| 负载电容 | CL | - | 20 typ | - | pF | |
| 驱动等级 | PW | 300 | - | - | uW | |
| 等效串联电阻 | R1 | - | - | 50 | Ω | |
| 工作温度范围 | （见注4） | - | （见注5） | ℃ | ||
| XTAL1/CLKIN引脚电容 | - | 3 typ | - | pF | （见注6） | |
| XTAL2引脚电容 | - | 3typ | - | pF | （见注6） |
注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50 ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释5 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释6 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1 /CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值。这两个外部负载电容器确定25.000MHz频率的精度。
5.7.2 100 µW 25 MHZ晶体规范
当使用100 µW 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-8）和规格（表5-17），以确保正常工作。
表5-17： 100 µW晶体规格
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最高 | 单元 | 注意 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 水晶切工 | AT，典型 | |||||
| 晶体振荡模式 | 基本模式 | |||||
| 晶体校准模式 | 并联共振模式 | |||||
| 频率 | Ffund | - | 25.000 | - | MHz | |
| 25oC时的频率容限 | Ftol | - | - | ±50 | ppm | （请参阅注释1） |
| 频率温度稳定性 | Ftemp | - | - | ±50 | ppm | （请参阅注释1） |
| 随时间变化的频率 | Fage | - | ±3至5 | - | ppm | （见注2） |
| 允许的PPM总预算 | - | - | ±50 | ppm | （见注3） | |
| 分流电容 | CO | - | - | 5 | pF | |
| 负载电容 | CL | 8 | - | 12 | pF | |
| 驱动等级 | PW | - | 100 | - | uW | （见注4） |
| 等效串联电阻 | R1 | - | - | 80 | Ω | |
| XTAL2系列电阻器 | RS | 495 | 500 | 505 | Ohm | |
| 工作温度范围 | （见注5） | - | （见注6） | ℃ | ||
| XTAL1/CLKIN引脚电容 | - | 3 typ | - | pF | （请参阅注释7） | |
| XTAL2引脚电容 | - | 3 typ | - | pF | （请参阅注释7） |
注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：晶振必须支持100 µW操作才能使用该电路。
注释5 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释6 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释7 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1/CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值（图5-8中的C1和C2）。外部负载电容器C1和C2确定25.000 MHz频率的精度。
6.0 包装概述
此处请自行查阅原数据手册
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