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2023年4月6日发(作者：如何设置输入法)
5.10用16K×1位的DRAM芯片组成64K×8位存储器，要求：
(1)画出该存储器的组成逻辑框图。
(2)设存储器读/写周期为0.5μS,CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用
哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单
元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
（1）组建存储器共需DRAM芯片数N=（64K*8）/（16K*1）=4*8（片）。
每8片组成16K×8位的存储区，A13~A0作为片内地址，用A15、A14经2:4译码器
产生片选信号，逻辑框图如下（图有误：应该每组8片，每片数据线为1根）
（2）设16K×8位存储芯片的阵列结构为128行×128列，刷新周期为2ms。因为刷
新每行需0.5μS，则两次（行）刷新的最大时间间隔应小于：
为保证在每个1μS内都留出0.5μS给CPU访问内存，因此该DRAM适合采用分散式或
异步式刷新方式，而不能采用集中式刷新方式。
若采用分散刷新方式，则每个存储器读/写周期可视为1μS，前0.5μS用于读写，后
0.5μS用于刷新。相当于每1μS刷新一行，刷完一遍需要128×1μS＝128μS，满足刷新周期
小于2ms的要求；
若采用异步刷新方式，则应保证两次刷新的时间间隔小于15.5μS。如每隔14个读
写周期刷新一行，相当于每15μS刷新一行，刷完一遍需要128×15μS＝1920μS，满足刷新
周期小于2ms的要求；
需要补充的知识：
刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止
的时间间隔。刷新周期通常可以是2ms，4ms或8ms。
DRAM一般是按行刷新，常用的刷新方式包括：
集中式：正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器。
（DRAM共128行，刷新周期为2ms，读/写/刷新时间均为0.5μS）
分散式：一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
特点：不存在停止读/写操作的死时间，但系统运行速度降低。
（DRAM共128行，刷新周期为128μs，tm＝0.5μS为读/写时间，tr＝0.5μS为刷新时间，
tc＝1μS为存储周期）
异步式：前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，只需保证在刷新周期内对整
个存储器刷新一遍。
5.11若某系统有24条地址线，字长为8位，其最大寻址空间为多少？现用
SRAM2114(1K*4)存储芯片组成存储系统，试问采用线选译码时需要多少个
2114存储芯片？
该存储器的存储容量=224*8bit=16M字节
需要SRAM2114(1K*4)存储芯片数目：
168
1602/320
14
M
K
组片组
片
5.12在有16根地址总线的机系统中画出下列情况下存储器的地址译码和连
接图。
（1）采用8K*1位存储芯片，形成64KB存储器。
（2）采用8K*1位存储芯片，形成32KB存储器。
（3）采用4K*1位存储芯片，形成16KB存储器。
由于地址总线长度为16，故系统寻址空间为16264Kbit位宽位宽
（1）8K*1位存储芯片地址长度为13，64KB存储器需要8个8K*1位存储芯片，故总
共需要16根地址总线，地址译码为：
A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0
共需8片
8K*1位存储
芯片
红色为片选
第一片
地址范围
0000H~
1FFFH
0000
1111
第二片
地址范围
2000H~
3FFFH
0000
1111
第三片
地址范围
4000H~
5FFFH
0000
1111
第四片
地址范围
6000H~
7FFFH
0000
1111
第五片
地址范围
8000H~
9FFFH
1000
1111
第六片
地址范围
0A000H~
0BFFFH
1000
1111
第七片
地址范围
0C000H~
0DFFFH
1100
1111
第八片
地址范围
0E000H~
0FFFFH
1110
11111
其连线图如下：
74LS138CS
EN
A
B
C
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8K*1位存储芯片
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
数据总线D
A0~A12
8
7
2
1
...
A15
A14
A13
（2）8K*1位存储芯片地址长度为13，32KB存储器需要4个8K*1位存储芯片故总共
需要15根地址总线，地址译码为：
A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0
共需4片
8K*1位存储
芯片
红色为片选
第一片
地址范围
0000H~
1FFFH
0000
1111
第二片
地址范围
2000H~
3FFFH
0000
1111
第三片
地址范围
4000H~
5FFFH
0000
1111
第四片
地址范围
6000H~
7FFFH
0000
1111
其连线图如下：
74LS138CS
EN
A
B
C
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8K*1位存储芯片
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
数据总线D
A0~A12
4
3
2
1
A15
A14
A13
（3）4K*1位存储芯片地址长度为12，16KB存储器需要4个4K*1位存储芯片故总共
需要14根地址总线，地址译码为：
A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0
共需4片
4K*1位存储
芯片
红色为片选
第一片
地址范围
0000H~
0FFFH
0000
1111
第二片
地址范围
1000H~
1FFFH
0000
1111
第三片
地址范围
2000H~
2FFFH
0000
1111
第四片
地址范围
3000H~
3FFFH
0000
1111
其连线图如下：
方案一：
74LS138CS
EN
A
B
C
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
4K*1位存储芯片
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
数据总线D
A0~A11
4
3
2
1
A15
A14
A13
A12
方案二：
74LS138CS
EN
A
B
C
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8K*1位存储芯片
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
AB
RD
WR
CS
D
数据总线D
A0~A11
4
3
2
1
A15
A14
A13
A12
A12
5.13试为某8位计算机系统设计一个具有8KBROM和40KBRAM的存储
器。要求ROM用EPROM芯片2732组成，从0000H地址开始；RAM用S
RAM芯片6264组成，从4000H地址开始。
查阅资料可知，2732容量为4K×8(字选线12根)，6264容量为8K×8(字选线13根)，
因此本系统中所需芯片数目及各芯片地址范围应如下表所示：
A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1
共需2片
2732构成系
统ROM
红色为片选
第一片
地址范围
0000H~
0FFFH
000
111
第二片
地址范围
1000H~
1FFFH
000
111
共需5片
6264构成系
统RAM
红色为片选
第一片
地址范围
4000H~
5FFFH
000
111
第二片
地址范围
6000H~
7FFFH
000
111
第三片
地址范围
8000H~
9FFFH
100
111
第四片
地址范围
0A000H~
0BFFFH
100
111
第五片
地址范围
0C000H~
0DFFFFH
110
111
硬件连线方式之一如下图所示：
说明：
①8位微机系统地址线一般为16位。采用全译码方式时，系统的A
0
～A
12
直接与6264
的13根地址线相连，系统的A
0
～A
11
直接与2732的12根地址线相连。片选信号由74LS138
译码器产生，系统的A
15
～A
13
作为译码器的输入。
②各芯片的数据总线（D
0
~D
7
）直接与系统的数据总线相连。
③各芯片的控制信号线（RD、WR）直接与系统的控制信号线相连。
5.14试根据下图EPROM的接口特性，设计一个EPROM写入编程电路，并
给出控制软件的流程。
A
14
CS6
EN
C2
B1
A0
A
0
-A
11
RD
WR
D
0
-D
7
ABCS
2732
WR
D0-7
ABCS
2732
WR
D0-7
ABCS
6264
RD
WR
D0-7
A
12
A
13
A
15
38
译
码
器
A
0
-A
12
RD
WR
ABCS
6264
RD
WR
D0-7
……
……
未用
1215
……
+12V
07
~OO
013
~AA
CE
PGM
OE
VCC
VPP
GND
高位地址译码
编程控制信号
07
~DD
07
~AA
RD
+5V
EPROM写入编程电路设计如下图所示：
+12V
07
~OO
013
~AA
CE
PGM
OE
VCC
VPP
GND
高位地址译码
编程控制信号
07
~DD
07
~AA
RD
+5V
控制模块
控制软件流程：
（1）上电复位；
（2）OE信号为电平”1”无效（写模式），PGM信号为电平”0”有效（编程控制模式），
软件进入编程状态，对EPROM存储器进行写入编程操作；
（3）高位地址译码信号CE为电平”1”无效，对存储器对应0000H~3FFFH地址的数
据依次进行写入操作（其中高位地址为0、低位地址
013
~AA从0000H到3FFFH
依次加1）写入的值为数据总线
013
~DD对应的值。
（4）高位地址译码信号CE为电平”0”有效，对存储器对应4000H~7FFFH地址的数
据依次进行写入操作（其中高位地址为1，低位地址
013
~AA从0000H到3FFFH
依次加1）写入的值为数据总线
013
~DD对应的值。
（5）存储器地址为7FFFH时，写入操作完成，控制软件停止对EPROM的编程状态，
释放对OE信号和PGM信号的控制。
5.15试完成下面的RAM系统扩充图。假设系统已占用0000~27FFH段内
存地址空间，并拟将后面的连续地址空间分配给该扩充RAM。
译码器输出
A15~A14A13A12A11A10~A0
地址空间
/Q0
00
000
~1
1111111111
0000H~07FFH
/Q1
0010800H~0FFFH
/Q2
0101000H~17FFH
/Q3
0111800H~1FFFH
/Q4
1002000H~27FFH
/Q5
1~
1111111111
2800H~2BFFH
12C00H~2FFFH
/Q6110
/Q7111
下面方案的问题：
1．地址不连续，驱动设计可能会比较麻烦；
2．地址重复，浪费系统地址空间；
3．不容易理解，实际上使用可能会有问题；
5.16某计算机系统的存储器地址空间为A8000H~CFFFFH，若采用单片容量
为16K*1位的SRAM芯片，
（1）系统存储容量为多少？
（2）组成该存储系统共需该类芯片多少个？
（3）整个系统应分为多少个芯片组？
（1）该计算机系统的存储器地址空间为A8000H~CFFFFH，系统存储容量为：
系统
A11
A12
A13
A14
A15
A10
(D0000H-A8000H)8bit=28000H*8bit=160KB
（2）单片容量为16K*1为的SRAM芯片的存储容量为16Kbit=2KB
组成该存储系统共需该类芯片160KB/2KB=80个
（3）题目未给出该系统的数据位宽为多少，此处设为8bit位宽
则每组芯片组需要8个单片容量为16K*1为的SRAM芯片
所有整个系统应分为80/8=10个芯片组。
5.17由一个具有8个存储体的低位多体交叉存储体中，如果处理器的访存地
址为以下八进制值。求该存储器比单体存储器的平均访问速度提高多少（忽
略初启时的延时）？
（1）10018，10028，10038，…，11008
（2）10028，10048，10068，…，12008
（3）10038，10068，10118，…，13008
此处题目有误，10018应为8
1001
，依次类推
低位多体交叉存储体包含8个存储体，故处理器每次可同时访问相邻8个地址的数据
（1）访存地址为相邻地址，故存储器比单体存储器的平均访问速度提高8倍；
（2）访存地址为间隔2个地址，故存储器比单体存储器的平均访问速度提高4倍；
（3）访存地址为间隔3个地址，但访存地址转换为十进制数为3、6、9、12、15、18、
21、24、27，分别除8的余数为3、6、1、4、7、2、5、0、3，故存储器比单体存储器
的平均访问速度提高8倍（可能有误，不确定）。
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